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华为禁令重伤美国芯片供应链  高通英特尔等多家美国公司下调业绩预期

2019年06月12日 09:09 次阅读

美国对华为的禁令,已经显著影响华为公司在手机、5G方面的推进速度,但是对华为影响的另一方面,在华为供应商链条上的众多美国厂商也遭遇了痛苦。美国分析师认为,由于中国通过加倍努力实现自力更生并加大对采购的重视,作为对美国企业向华为出售芯片和其他组件的禁令作出回应,美国供应商将会感受到更大痛苦。而来自欧洲和亚洲其他地区的供应商的零部件将会扩大在中国的销量。

IC Insights总裁Bill McClean表示,未来,如果替代方案完全可行,中国系统供应商将选择替代美国公司提供的零件。例如,如果德州仪器公司的部件与STMicroelectronics,恩智浦半导体或瑞萨电子等公司的部件竞争,那么这家中国公司将与其他供应商合作,即使明天这件事得到解决,他们也会避免让美国供应商继续前进。他们将会关注韩国公司,日本公司和欧洲公司,如果有其他选择,他们会选择它。我保证。信任消失了。

国际商业战略首席执行官韩德尔-琼斯 (handel Jones) 向 EE Times表示, 禁止向华为供货将鼓励中国正在进行的自力更生的努力。近年来, 中国政府已经投入数十亿美元支持国内半导体生产, 并计划在10年内投资 1, 600多亿美元, 以减少对外国半导体供应其大规模半导体的依赖。国内半导体市场。

琼斯说: "从长远来看, 我们看到的是为独立于美国而做出的相当重大的努力。他估计, 只要中国还能接触到台积电或竞争对手三星电子, 中国最快可能在三到五年内完全独立于美国芯片。

高盛 (Goldmansachs) 的数据显示, 至少有70家美国公司在华为拥有大量投资。包括英特尔 (Intel)、高通 (Qualcomm)、Xilinx 和 Broadcom 在内的大多数美国芯片制造商已停止向华为供应, 以遵守美国政府的出口禁令。包括日本展、东芝和台积电在内的非美国公司报告说, 它们检查了供应链中是否有受限制的美国技术。(台积电随后宣布, 将在今年余下的时间里继续向华为子公司 Himsicon 供应晶圆.)

近期, 英特尔、Broadcom、Micron 和高通等公司的销售额将下降, 因为它们将按照特朗普政府的禁令从华为中解脱出来。高盛 (Goldmansachs) 的数据显示, 仅在2018年第三季度, 华为就占 Broadcom 销售额的3亿多美元, 在高通的销售额中占到2.3亿美元以上, 在英特尔的销售额中占近 9, 000万美元。米克龙在最近的一份监管文件中说, 其在2019财年上半年的销售额有13% 来自华为。

市场分析人士对被认为过于依赖华为的企业股票进行了打击。在美国政府的禁令之后, qorvo、Skyworks SoluTIon、Keysight 技术、Inphi 和 Lumentum 等公司被分析人士降级。

在禁令实施后, 一些美国公司对收入预测进行了修订。光学和光子产品制造商 lumentum 将本季度收入指导的低端从4.05亿美元下调了 7.4%, 至3.75亿美元。华为最近一个季度的销售额占卢明通总收入的18%。

虽然从长期来看, 华为的禁令很可能是对美国芯片行业的重大打击, 但许多人担心, 如果中国选择通过限制出口来报复华为被列入出口黑名单, 对美国芯片企业的真正影响可能会到来。f 所谓的稀土矿物。最近几周, 中国在贸易战中提高了稀土关税, 并威胁在华为被列入黑名单后完全停止出口。

据估计, 中国提供的稀土矿物多达90%, 对半导体生产至关重要。虽然加州和其他地方有一些稀土矿, 但美国进口的稀土材料多达 80%--主要来自中国。

在被问及中国是否有可能限制或禁止出口稀土矿物以报复华为此举时, 麦克莱恩表示, 中国有可能以国家安全的名义实施这样的禁令。

"手套掉了," 麦克莱恩说。"现在的一切都会因为美国政府对华为的所作所为而发生"。

本文来自英文网站EETImes"Huawei Ban Could Come Back to Bite U.S" , 本站编辑进行了翻译,分享给广大工程师。


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BAS20HT1 开关二极管,高压,200 V

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 无铅封装可用 S汽车前缀和其他需要独特站点和控制变更要求的应用程序; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图

发表于 2019-04-18 19:14 2次阅读
BAS20HT1 开关二极管,高压,200 V

BAS19L 开关二极管,高压120 V

信息高压开关二极管专为高压,高速开关应用而设计。该双二极管器件包含两个封装在SOT-23表面的电隔离高压开关二极管 无铅封装可用。 适用于汽车和其他应用的NSV前缀,需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图

发表于 2019-04-18 19:14 2次阅读
BAS19L 开关二极管,高压120 V

BAS21AH 开关二极管,低漏电

信息 BAS21AHT1G是采用SOD-323封装的低漏电开关二极管。该器件与BAS21HT1G相同,具有更好的反向漏电流(IR)规格性能。 电路图、引脚图和封装图

发表于 2019-04-18 19:14 0次阅读
BAS21AH 开关二极管,低漏电

BAS16M3 100 V开关二极管

信息 BAS16M3T5G开关二极管是我们广受欢迎的SOT-23三引线器件的衍生产品。它专为开关应用而设计,采用SOT-723表面贴装封装。该器件非常适用于低功耗表面贴装应用,其中电路板空间非常宝贵。 引脚表面处理:100%无光泽锡(锡) 极小的SOT-723封装< / LI>

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BAS16M3 100 V开关二极管

BAS16L 100 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 无铅封装可用 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图

发表于 2019-04-18 19:14 0次阅读
BAS16L 100 V开关二极管

BAS16XV2 开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 引线表面处理:100%哑光锡(锡) 合格回流温度:260°C 极小型SOD-523封装 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图

发表于 2019-04-18 19:14 0次阅读
BAS16XV2 开关二极管

BAS16T 100 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 可提供无铅封装* 电路图、引脚图和封装图

发表于 2019-04-18 19:14 2次阅读
BAS16T 100 V开关二极管

BAS16W 100 V开关二极管

信息开关二极管设计用于超高速开关应用。该器件采用SC-70封装,专为低功耗表面贴装应用而设计。 可提供无铅封装 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图

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BAS16W 100 V开关二极管

BAS16SL 小信号二极管

信息小信号二极管 低正向压降 快速开关 非常小的薄型 最大剖面高度为0.43mm 尺寸为1.0 x 0.6mm

发表于 2019-04-18 19:14 34次阅读
BAS16SL 小信号二极管

BAS16P2 100 V开关二极管

信息 BAS16P2T5G开关二极管是我们广受欢迎的SOT-23三引线器件的衍生产品。它专为开关应用而设计,安装在SOD-923表面该封装非常适合低功率表面贴装应用,其中电路板空间非常宝贵。 极小的SOD-923封装

发表于 2019-04-18 19:13 26次阅读
BAS16P2 100 V开关二极管

BAS16 (Legacy Fairchild)...

信息 SOT-23封装中的开关二极管。 高 - 速度切换应用

发表于 2019-04-18 19:13 28次阅读
BAS16 (Legacy Fairchild)...

BAS16DXV6 双开关二极管,100 V

信息采用SOT-563封装的双开关二极管。 引脚表面处理:100%无光泽锡(锡) 合格回流焊温度:260°C 超小型SOD-523封装 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图

发表于 2019-04-18 19:13 34次阅读
BAS16DXV6 双开关二极管,100 V

BAS116T 75 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SC-75表面贴装封装,非常适合自动插入。 低漏电流应用 中速开关时间 这些器件是无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准

发表于 2019-04-18 19:13 36次阅读
BAS116T 75 V开关二极管

BAS16H 100 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 S汽车及其他应用的前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图

发表于 2019-04-18 19:13 38次阅读
BAS16H 100 V开关二极管

BAS116L 75 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 低漏电流应用 中速开关时间 8 mm卷带和卷盘 - 使用BAS116LT1订购7英寸/ 3,000单位卷轴 Pb - 免费套餐。 汽车和其他应用的S前缀,需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图

发表于 2019-04-18 19:13 36次阅读
BAS116L 75 V开关二极管

BAR43 肖特基二极管

信息 BAR43 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。

发表于 2019-04-18 19:13 38次阅读
BAR43 肖特基二极管

BAR43C 肖特基二极管

信息 BAR43C 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。

发表于 2019-04-18 19:13 47次阅读
BAR43C 肖特基二极管

BAR43S 肖特基二极管

信息 BAR43S 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。

发表于 2019-04-18 19:13 48次阅读
BAR43S 肖特基二极管

BAL99L 70 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图

发表于 2019-04-18 19:13 46次阅读
BAL99L 70 V开关二极管

A5191HRT 工业HART协议调制解调器

信息 A5191HRT是一款单芯片CMOS调制解调器,适用于高速公路可寻址远程传感器(HART)现场仪表和主机。调制解调器和一些外部无源组件提供满足HART物理层要求所需的所有功能,包括调制,解调,接收滤波,载波检测和发送信号整形。 A5191HRT与SYM20C15引脚兼容。有关引脚与SYM20C15兼容性的详细信息,请参见引脚说明和功能描述部分。 A5191HRT使用每秒1200位的相位连续频移键控(FSK)。为了节省功率,接收电路在发送操作期间被禁用,反之亦然。这提供了HART通信中使用的半双工操作。 低功耗 Bell 202移位频率为1200 Hz和2200 Hz 单芯片,半 - 双工1200比特FSK调制解调器 发送信号波形整形 接收带通滤波器 满足HART物理层要求 CMOS兼容 电路图、引脚图和封装图...

发表于 2019-04-18 19:13 36次阅读
A5191HRT 工业HART协议调制解调器

CAT25128 128-kb SPI串行CMO...

信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留< / li> 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...

发表于 2019-04-18 19:13 38次阅读
CAT25128 128-kb SPI串行CMO...

CAT25256 256-kb SPI串行CMO...

信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护< / li> - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...

发表于 2019-04-18 19:13 38次阅读
CAT25256 256-kb SPI串行CMO...

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS ...

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...

发表于 2019-04-18 19:13 38次阅读
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS ...

CAT25160 16-kb SPI串行CMOS...

信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...

发表于 2019-04-18 19:13 44次阅读
CAT25160 16-kb SPI串行CMOS...

MC10EP32 3.3 V / 5.0 V E...

信息 MC10 / 100EP32是一个集成的2分频器,具有差分CLK输入。 V 引脚是内部产生的电源,仅适用于该器件。对于单端输入条件,未使用的差分输入连接到V 作为开关参考电压。 V 也可以重新连接AC耦合输入。使用时,通过0.01μF电容去耦V 和V ,并限制电流源或吸收至0.5mA。不使用时,V 应保持开路。复位引脚是异步的,并在上升沿置位。上电时,内部触发器将达到随机状态;复位允许在系统中同步多个EP32。 100系列包含温度补偿。 350ps典型传播延迟 最大频率> 4 GHz典型 PECL模式工作范围:V = 3.0 V至5.5 V V = 0 V NECL模式工作范围:V = 0 V ,其中V = -3.0 V至-5.5 V 打开输入默认状态< / li> 输入安全钳位 Q输出打开或V 无铅封装可用时默认为低电平 < / DIV>...

发表于 2019-04-18 19:13 38次阅读
MC10EP32 3.3 V / 5.0 V E...